C3M0065100J
Varenummer:
C3M0065100J
Fabrikant:
Cree
Beskrivelse:
1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
13109 Pieces
Datablad:
C3M0065100J.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for C3M0065100J, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til C3M0065100J via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe C3M0065100J med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 5mA
Vgs (Max):+15V, -4V
Teknologi:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Leverandør Device Package:D2PAK-7
Serie:C3M™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:78 mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max):113.5W (Tc)
Emballage:Tube
Pakke / tilfælde:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Producentens varenummer:C3M0065100J
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:660pF @ 600V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:35nC @ 15V
FET Type:N-Channel
FET-funktion:-
Udvidet beskrivelse:N-Channel 1000V (1kV) 35A (Tc) 113.5W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On):15V
Afløb til Source Voltage (VDSS):1000V (1kV)
Beskrivelse:1000V, 65 MOHM, G3 SIC MOSFET
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:35A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer