Købe EPC2107ENGRT med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 100µA |
---|---|
Leverandør Device Package: | Die |
Serie: | eGaN® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 320 mOhm @ 2A, 5V |
Strøm - Max: | - |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | Die |
Andre navne: | 917-EPC2107ENGRTR |
Driftstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | EPC2107ENGRT |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 16pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.16nC @ 5V |
FET Type: | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
FET-funktion: | GaNFET (Gallium Nitride) |
Udvidet beskrivelse: | Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount Die |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 100V |
Beskrivelse: | TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 1.7A, 500mA |
Email: | [email protected] |