Købe IRF5801TRPBF med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±30V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | Micro6™(TSOP-6) |
Serie: | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.2 Ohm @ 360mA, 10V |
Power Dissipation (Max): | 2W (Ta) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Andre navne: | IRF5801TRPBF-ND IRF5801TRPBFTR SP001570104 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 14 Weeks |
Producentens varenummer: | IRF5801TRPBF |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 88pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 3.9nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 200V 600mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6) |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 200V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 200V 600MA 6-TSOP |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 600mA (Ta) |
Email: | [email protected] |