IXFT12N100Q
IXFT12N100Q
Varenummer:
IXFT12N100Q
Fabrikant:
IXYS Corporation
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
14885 Pieces
Datablad:
IXFT12N100Q.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for IXFT12N100Q, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til IXFT12N100Q via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe IXFT12N100Q med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:5.5V @ 4mA
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:TO-268
Serie:HiPerFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:1.05 Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max):300W (Tc)
Emballage:Tube
Pakke / tilfælde:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Producentens varenummer:IXFT12N100Q
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:2900pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:90nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funktion:-
Udvidet beskrivelse:N-Channel 1000V (1kV) 12A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268
Afløb til Source Voltage (VDSS):1000V (1kV)
Beskrivelse:MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:12A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer