RQ3E130BNTB
Varenummer:
RQ3E130BNTB
Fabrikant:
LAPIS Semiconductor
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
18244 Pieces
Datablad:
RQ3E130BNTB.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for RQ3E130BNTB, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til RQ3E130BNTB via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe RQ3E130BNTB med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:8-HSMT (3.2x3)
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:6 mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max):2W (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfælde:8-PowerVDFN
Andre navne:RQ3E130BNTBTR
Driftstemperatur:150°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Fabrikantens standard ledetid:10 Weeks
Producentens varenummer:RQ3E130BNTB
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:1900pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:36nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funktion:-
Udvidet beskrivelse:N-Channel 30V 13A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Afløb til Source Voltage (VDSS):30V
Beskrivelse:MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:13A (Ta)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer