SI4825DY-T1-GE3
Varenummer:
SI4825DY-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay / Siliconix
Beskrivelse:
MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
18789 Pieces
Datablad:
SI4825DY-T1-GE3.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for SI4825DY-T1-GE3, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til SI4825DY-T1-GE3 via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe SI4825DY-T1-GE3 med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:8-SO
Serie:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:14 mOhm @ 11.5A, 10V
Power Dissipation (Max):1.5W (Ta)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfælde:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andre navne:SI4825DY-T1-GE3TR
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Producentens varenummer:SI4825DY-T1-GE3
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:71nC @ 10V
FET Type:P-Channel
FET-funktion:-
Udvidet beskrivelse:P-Channel 30V 8.1A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Afløb til Source Voltage (VDSS):30V
Beskrivelse:MOSFET P-CH 30V 8.1A 8-SOIC
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:8.1A (Ta)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer