SI7386DP-T1-E3
SI7386DP-T1-E3
Varenummer:
SI7386DP-T1-E3
Fabrikant:
Vishay / Siliconix
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
18872 Pieces
Datablad:
SI7386DP-T1-E3.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for SI7386DP-T1-E3, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til SI7386DP-T1-E3 via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe SI7386DP-T1-E3 med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:PowerPAK® SO-8
Serie:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7 mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max):1.8W (Ta)
Emballage:Original-Reel®
Pakke / tilfælde:PowerPAK® SO-8
Andre navne:SI7386DP-T1-E3DKR
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Fabrikantens standard ledetid:24 Weeks
Producentens varenummer:SI7386DP-T1-E3
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 4.5V
FET Type:N-Channel
FET-funktion:-
Udvidet beskrivelse:N-Channel 30V 12A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Afløb til Source Voltage (VDSS):30V
Beskrivelse:MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:12A (Ta)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer