SI7998DP-T1-GE3
SI7998DP-T1-GE3
Varenummer:
SI7998DP-T1-GE3
Fabrikant:
Vishay / Siliconix
Beskrivelse:
MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
12948 Pieces
Datablad:
SI7998DP-T1-GE3.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for SI7998DP-T1-GE3, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til SI7998DP-T1-GE3 via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe SI7998DP-T1-GE3 med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Leverandør Device Package:PowerPAK® SO-8 Dual
Serie:TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:9.3 mOhm @ 15A, 10V
Strøm - Max:22W, 40W
Emballage:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfælde:PowerPAK® SO-8 Dual
Andre navne:SI7998DP-T1-GE3-ND
SI7998DP-T1-GE3TR
SI7998DPT1GE3
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Fabrikantens standard ledetid:24 Weeks
Producentens varenummer:SI7998DP-T1-GE3
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:1100pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:26nC @ 10V
FET Type:2 N-Channel (Dual)
FET-funktion:Logic Level Gate
Udvidet beskrivelse:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 25A, 30A 22W, 40W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Afløb til Source Voltage (VDSS):30V
Beskrivelse:MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:25A, 30A
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer