TPH1110ENH,L1Q
TPH1110ENH,L1Q
Varenummer:
TPH1110ENH,L1Q
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
15919 Pieces
Datablad:
TPH1110ENH,L1Q.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for TPH1110ENH,L1Q, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til TPH1110ENH,L1Q via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe TPH1110ENH,L1Q med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 200µA
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:8-SOP Advance (5x5)
Serie:U-MOSVIII-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs:114 mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max):1.6W (Ta), 42W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfælde:8-PowerVDFN
Andre navne:TPH1110ENH,L1Q(M
TPH1110ENHL1QTR
Driftstemperatur:150°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Fabrikantens standard ledetid:16 Weeks
Producentens varenummer:TPH1110ENH,L1Q
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:600pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:7nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funktion:-
Udvidet beskrivelse:N-Channel 200V 7.2A (Ta) 1.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Afløb til Source Voltage (VDSS):200V
Beskrivelse:MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:7.2A (Ta)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer