IXTP2R4N120P
IXTP2R4N120P
Varenummer:
IXTP2R4N120P
Fabrikant:
IXYS Corporation
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-220
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
17444 Pieces
Datablad:
IXTP2R4N120P.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for IXTP2R4N120P, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til IXTP2R4N120P via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe IXTP2R4N120P med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 250µA
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:TO-220AB
Serie:Polar™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max):125W (Tc)
Emballage:Tube
Pakke / tilfælde:TO-220-3
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Through Hole
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Producentens varenummer:IXTP2R4N120P
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:1207pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:37nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funktion:-
Udvidet beskrivelse:N-Channel 1200V (1.2kV) 2.4A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Afløb til Source Voltage (VDSS):1200V (1.2kV)
Beskrivelse:MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-220
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:2.4A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer