Købe STP11NM60ND med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±25V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | TO-220AB |
Serie: | FDmesh™ II |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 450 mOhm @ 5A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 90W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-220-3 |
Andre navne: | 497-8442-5 |
Driftstemperatur: | 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 22 Weeks |
Producentens varenummer: | STP11NM60ND |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 850pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 600V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220AB |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 600V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 10A (Tc) |
Email: | [email protected] |