Købe STP22NM60N med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 100µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±30V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | TO-220AB |
Serie: | MDmesh™ II |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 220 mOhm @ 8A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 125W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-220-3 |
Andre navne: | 497-10306-5 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | STP22NM60N |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 1300pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 44nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 600V 16A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 600V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 600V 16A TO-220 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 16A (Tc) |
Email: | [email protected] |