Købe STU11NM60ND med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | I-Pak |
Serie: | FDmesh™ II |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 450 mOhm @ 5A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 90W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Driftstemperatur: | 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | STU11NM60ND |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 850pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 600V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole I-Pak |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 600V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 600V 10A IPAK |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 10A (Tc) |
Email: | [email protected] |