Købe STU6N65K3 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 50µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±30V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | I-Pak |
Serie: | SuperMESH3™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.3 Ohm @ 2.7A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 110W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Andre navne: | 497-13593-5 |
Driftstemperatur: | 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | STU6N65K3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 880pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 33nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 650V 5.4A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I-Pak |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 650V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 650V 5.4A IPAK |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 5.4A (Tc) |
Email: | [email protected] |