Købe STU80N4F6 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | TO-251 |
Serie: | DeepGATE™, STripFET™ VI |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 6.3 mOhm @ 40A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 70W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Andre navne: | 497-13657-5 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | STU80N4F6 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 2150pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 36nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 40V 80A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-251 |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 40V |
Beskrivelse: | MOSFET N CH 40V 80A IPAK |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
Email: | [email protected] |