IPP048N12N3 G
IPP048N12N3 G
Varenummer:
IPP048N12N3 G
Fabrikant:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
15800 Pieces
Datablad:
IPP048N12N3 G.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for IPP048N12N3 G, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til IPP048N12N3 G via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe IPP048N12N3 G med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 230µA
Vgs (Max):±20V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:PG-TO220-3-1
Serie:OptiMOS™
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4.8 mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max):300W (Tc)
Emballage:Tube
Pakke / tilfælde:TO-220-3
Andre navne:IPP048N12N3G
IPP048N12N3GXKSA1
SP000652734
Driftstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Monteringstype:Through Hole
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Fabrikantens standard ledetid:12 Weeks
Producentens varenummer:IPP048N12N3 G
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:12000pF @ 60V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:182nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funktion:-
Udvidet beskrivelse:N-Channel 120V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On):10V
Afløb til Source Voltage (VDSS):120V
Beskrivelse:MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer