NDD04N50Z-1G
NDD04N50Z-1G
Varenummer:
NDD04N50Z-1G
Fabrikant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
13301 Pieces
Datablad:
NDD04N50Z-1G.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for NDD04N50Z-1G, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til NDD04N50Z-1G via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe NDD04N50Z-1G med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 50µA
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:I-Pak
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2.7 Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max):61W (Tc)
Emballage:Tube
Pakke / tilfælde:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Andre navne:NDD04N50Z-1G-ND
NDD04N50Z-1GOS
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Through Hole
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Fabrikantens standard ledetid:4 Weeks
Producentens varenummer:NDD04N50Z-1G
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:308pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funktion:-
Udvidet beskrivelse:N-Channel 500V 3A (Tc) 61W (Tc) Through Hole I-Pak
Afløb til Source Voltage (VDSS):500V
Beskrivelse:MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:3A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer