NDD04N60Z-1G
NDD04N60Z-1G
Varenummer:
NDD04N60Z-1G
Fabrikant:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
17836 Pieces
Datablad:
NDD04N60Z-1G.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for NDD04N60Z-1G, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til NDD04N60Z-1G via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe NDD04N60Z-1G med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:4.5V @ 50µA
Vgs (Max):±30V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:I-Pak
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:2 Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max):83W (Tc)
Emballage:Tube
Pakke / tilfælde:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Andre navne:NDD04N60Z-1G-ND
NDD04N60Z-1GOS
NDD04N60Z1G
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Through Hole
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Fabrikantens standard ledetid:19 Weeks
Producentens varenummer:NDD04N60Z-1G
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:640pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:29nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funktion:-
Udvidet beskrivelse:N-Channel 600V 4.1A (Tc) 83W (Tc) Through Hole I-Pak
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On):10V
Afløb til Source Voltage (VDSS):600V
Beskrivelse:MOSFET N-CH 600V 4A IPAK
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:4.1A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer