TK31E60X,S1X
TK31E60X,S1X
Varenummer:
TK31E60X,S1X
Fabrikant:
Toshiba Semiconductor
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
19129 Pieces
Datablad:
TK31E60X,S1X.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for TK31E60X,S1X, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til TK31E60X,S1X via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe TK31E60X,S1X med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:3.5V @ 1.5mA
Vgs (Max):±30V
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:TO-220
Serie:DTMOSIV-H
Rds On (Max) @ Id, Vgs:88 mOhm @ 9.4A, 10V
Power Dissipation (Max):230W (Tc)
Emballage:Tube
Pakke / tilfælde:TO-220-3
Andre navne:TK31E60X,S1X(S
TK31E60XS1X
Driftstemperatur:150°C (TJ)
Monteringstype:Through Hole
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Fabrikantens standard ledetid:12 Weeks
Producentens varenummer:TK31E60X,S1X
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:3000pF @ 300V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:65nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funktion:Super Junction
Udvidet beskrivelse:N-Channel 600V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-220
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On):10V
Afløb til Source Voltage (VDSS):600V
Beskrivelse:MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:30.8A (Ta)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer