Købe TK31E60X,S1X med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 1.5mA |
---|---|
Vgs (Max): | ±30V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | TO-220 |
Serie: | DTMOSIV-H |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 88 mOhm @ 9.4A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 230W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-220-3 |
Andre navne: | TK31E60X,S1X(S TK31E60XS1X |
Driftstemperatur: | 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 12 Weeks |
Producentens varenummer: | TK31E60X,S1X |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 3000pF @ 300V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 65nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | Super Junction |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 600V 30.8A (Ta) 230W (Tc) Through Hole TO-220 |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 600V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 30.8A (Ta) |
Email: | [email protected] |