Kaldet CUHS10F60 på grund af den nyudviklede 2,5 x 1,4 mm US2H-pakke (SOD-323HE) har en termisk modstand på 105 ° C / W. "Pakken er termisk modstand reduceret med ca. 50% sammenlignet med den konventionelle USC-pakke," sagde firmaet.

I sammenligning med Toshibas tidligere CUS04 Schottky-diode er maksimal omvendt strøm reduceret med ca. 60% - til 40μA.

Omvendt spænding er høj for en silicium Schottky - 60V (lækagen ovenfor måles til denne værdi) - mens fremspænding typisk er 0,46V ved 500mA og 0,56V ved enhedens maksimale strøm på 1A.

Schottky er tilgængelig til forsendelse i produktionsmængder nu.