Købe AOI4N60 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | TO-251A |
Serie: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.3 Ohm @ 2A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 104W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Driftstemperatur: | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 16 Weeks |
Producentens varenummer: | AOI4N60 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 640pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 14.5nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 600V 4A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-251A |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 600V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 600V 4A TO251A |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
Email: | [email protected] |