Købe AOT4S60L med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.1V @ 250µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | TO-220 |
Serie: | aMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 900 mOhm @ 2A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 83W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-220-3 |
Andre navne: | 785-1268-5 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 16 Weeks |
Producentens varenummer: | AOT4S60L |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 263pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 6nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 600V 4A (Tc) 83W (Tc) Through Hole TO-220 |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 600V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 600V 4A TO220 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 4A (Tc) |
Email: | [email protected] |