Købe FQA16N50_F109 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±30V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | TO-3PN |
Serie: | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 320 mOhm @ 8A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 200W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-3P-3, SC-65-3 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | FQA16N50_F109 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 3000pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 75nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 500V 16A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-3PN |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 500V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 500V 16A |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 16A (Tc) |
Email: | [email protected] |