Købe FQI10N20CTU med BYCHPS
Køb med garanti
		| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA | 
|---|---|
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) | 
| Leverandør Device Package: | I2PAK | 
| Serie: | QFET® | 
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 360 mOhm @ 4.75A, 10V | 
| Power Dissipation (Max): | 72W (Tc) | 
| Emballage: | Tube | 
| Pakke / tilfælde: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA | 
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) | 
| Monteringstype: | Through Hole | 
| Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) | 
| Producentens varenummer: | FQI10N20CTU | 
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 510pF @ 25V | 
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 26nC @ 10V | 
| FET Type: | N-Channel | 
| FET-funktion: | - | 
| Udvidet beskrivelse: | N-Channel 200V 9.5A (Tc) 72W (Tc) Through Hole I2PAK | 
| Afløb til Source Voltage (VDSS): | 200V | 
| Beskrivelse: | MOSFET N-CH 200V 9.5A I2PAK | 
| Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 9.5A (Tc) | 
| Email: | [email protected] |