Købe FQI4N90TU med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±30V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | I2PAK |
Serie: | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.3 Ohm @ 2.1A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 3.13W (Ta), 140W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 6 Weeks |
Producentens varenummer: | FQI4N90TU |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 1100pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 900V 4.2A (Tc) 3.13W (Ta), 140W (Tc) Through Hole I2PAK |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 900V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 900V 4.2A I2PAK |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 4.2A (Tc) |
Email: | [email protected] |