Købe FQP19N20CTSTU med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | TO-220-3 |
Serie: | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 170 mOhm @ 9.5A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 139W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-220-3 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | FQP19N20CTSTU |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 1080pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 53nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 200V 19A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 200V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 200V 19A TO-220 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 19A (Tc) |
Email: | [email protected] |