Købe FQP2N60 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | TO-220-3 |
Serie: | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.7 Ohm @ 1.2A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 64W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-220-3 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | FQP2N60 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 350pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 11nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 600V 2.4A (Tc) 64W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 600V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 2.4A (Tc) |
Email: | [email protected] |