GP1M003A080CH
Varenummer:
GP1M003A080CH
Fabrikant:
Global Power Technologies Group
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
18993 Pieces
Datablad:
GP1M003A080CH.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for GP1M003A080CH, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til GP1M003A080CH via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe GP1M003A080CH med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:TO-252, (D-Pak)
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:4.2 Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max):94W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfælde:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andre navne:1560-1155-2
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Surface Mount
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Producentens varenummer:GP1M003A080CH
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:696pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:19nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funktion:-
Udvidet beskrivelse:N-Channel 800V 3A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Afløb til Source Voltage (VDSS):800V
Beskrivelse:MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:3A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer