Købe GP1M008A080H med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | TO-220 |
Serie: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.4 Ohm @ 4A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 250W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-220-3 |
Andre navne: | 1560-1170-1 1560-1170-1-ND |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | GP1M008A080H |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 1921pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 46nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 800V 8A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220 |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 800V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 800V 8A TO220 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 8A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |