GP1M009A020PG
GP1M009A020PG
Varenummer:
GP1M009A020PG
Fabrikant:
Global Power Technologies Group
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
12381 Pieces
Datablad:
GP1M009A020PG.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for GP1M009A020PG, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til GP1M009A020PG via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe GP1M009A020PG med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:I-Pak
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:400 mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max):52W (Tc)
Emballage:Tape & Reel (TR)
Pakke / tilfælde:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Through Hole
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Producentens varenummer:GP1M009A020PG
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:414pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:8.6nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funktion:-
Udvidet beskrivelse:N-Channel 200V 9A (Tc) 52W (Tc) Through Hole I-Pak
Afløb til Source Voltage (VDSS):200V
Beskrivelse:MOSFET N-CH 200V 9A IPAK
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:9A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer