GP2M011A090NG
GP2M011A090NG
Varenummer:
GP2M011A090NG
Fabrikant:
Global Power Technologies Group
Beskrivelse:
MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN
Blyfri Status / RoHS Status:
Blyfri / RoHS-kompatibel
Tilgængelig mængde:
17500 Pieces
Datablad:
GP2M011A090NG.pdf

Introduktion

BYCHIPS er strømforsyningsdistributøren for GP2M011A090NG, vi har lagrene til omgående forsendelse og også tilgængelig for lang tid levering. Send venligst din købsplan til GP2M011A090NG via e-mail, vil vi give dig den bedste pris i henhold til din plan.
Købe GP2M011A090NG med BYCHPS
Køb med garanti

specifikationer

Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Teknologi:MOSFET (Metal Oxide)
Leverandør Device Package:TO-3PN
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:900 mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max):416W (Tc)
Emballage:Tube
Pakke / tilfælde:TO-3P-3, SC-65-3
Andre navne:1560-1209-1
1560-1209-1-ND
Driftstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstype:Through Hole
Fugtfølsomhedsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Producentens varenummer:GP2M011A090NG
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:3240pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:84nC @ 10V
FET Type:N-Channel
FET-funktion:-
Udvidet beskrivelse:N-Channel 900V 11A (Tc) 416W (Tc) Through Hole TO-3PN
Afløb til Source Voltage (VDSS):900V
Beskrivelse:MOSFET N-CH 900V 11A TO3PN
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

Quick Request Citat

Varenummer
Antal
Selskab
E-mail
telefon
Kommentarer