Købe IPA65R650CEXKSA1 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 210µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | TO-220 Full Pack |
Serie: | CoolMOS™ CE |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 650 mOhm @ 2.1A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 28W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-220-3 Full Pack |
Andre navne: | SP001295804 |
Driftstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 6 Weeks |
Producentens varenummer: | IPA65R650CEXKSA1 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 440pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 650V 7A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 650V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 7A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |