Købe IPA90R800C3 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 460µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | PG-TO220-FP |
Serie: | CoolMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 800 mOhm @ 4.1A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 33W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-220-3 Full Pack |
Andre navne: | IPA90R800C3XKSA1 SP000413718 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 6 Weeks |
Producentens varenummer: | IPA90R800C3 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 1100pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 42nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 900V 6.9A (Tc) 33W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 900V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-3 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 6.9A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |