Købe IPB200N25N3 G med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 270µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | PG-TO263-2 |
Serie: | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 20 mOhm @ 64A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 300W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Andre navne: | IPB200N25N3 G-ND IPB200N25N3 GTR IPB200N25N3G IPB200N25N3GATMA1 SP000677896 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 12 Weeks |
Producentens varenummer: | IPB200N25N3 G |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 7100pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 86nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 250V 64A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-2 |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 250V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 250V 64A TO263-3 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 64A (Tc) |
Email: | [email protected] |