Købe IPD135N08N3GATMA1 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 33µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | PG-TO252-3 |
Serie: | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 13.5 mOhm @ 45A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 79W (Tc) |
Emballage: | Original-Reel® |
Pakke / tilfælde: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Andre navne: | IPD135N08N3GATMA1DKR |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 14 Weeks |
Producentens varenummer: | IPD135N08N3GATMA1 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 1730pF @ 40V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 80V 45A (Tc) 79W (Tc) PG-TO252-3 |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 80V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 80V 45A |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 45A (Tc) |
Email: | [email protected] |