Købe IPD60R2K1CEAUMA1 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 60µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | PG-TO252-3 |
Serie: | CoolMOS™ CE |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.1 Ohm @ 760mA, 10V |
Power Dissipation (Max): | 38W (Tc) |
Emballage: | Tape & Reel (TR) |
Pakke / tilfælde: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Andre navne: | SP001396904 |
Driftstemperatur: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
Fabrikantens standard ledetid: | 6 Weeks |
Producentens varenummer: | IPD60R2K1CEAUMA1 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 140pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.7nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 600V 2.3A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 600V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 600V 2.3A TO-252-3 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 2.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |