Købe IPD60R600E6ATMA1 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 200µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | TO-252 |
Serie: | CoolMOS™ E6 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 600 mOhm @ 2.4A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 63W (Tc) |
Emballage: | Bulk |
Pakke / tilfælde: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Andre navne: | SP001117094 |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 12 Weeks |
Producentens varenummer: | IPD60R600E6ATMA1 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 440pF @ 100V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 20.5nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 600V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount TO-252 |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 600V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 7.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |