Købe IPI139N08N3GHKSA1 med BYCHPS
Køb med garanti
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 33µA |
|---|---|
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Leverandør Device Package: | PG-TO262-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 13.9 mOhm @ 45A, 10V |
| Power Dissipation (Max): | 79W (Tc) |
| Emballage: | Tube |
| Pakke / tilfælde: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Andre navne: | IPI139N08N3 G IPI139N08N3 G-ND SP000457714 SP000680716 |
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Monteringstype: | Through Hole |
| Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Producentens varenummer: | IPI139N08N3GHKSA1 |
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 1730pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| FET Type: | N-Channel |
| FET-funktion: | - |
| Udvidet beskrivelse: | N-Channel 80V 45A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| Afløb til Source Voltage (VDSS): | 80V |
| Beskrivelse: | MOSFET N-CH 80V 45A TO262-3 |
| Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 45A (Tc) |
| Email: | [email protected] |