Købe IPI45P03P4L11AKSA1 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 85µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | PG-TO262-3 |
Serie: | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 11.1 mOhm @ 45A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 58W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Andre navne: | IPI45P03P4L-11 IPI45P03P4L-11-ND SP000396310 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | IPI45P03P4L11AKSA1 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 3770pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 55nC @ 10V |
FET Type: | P-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | P-Channel 30V 45A (Tc) 58W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 30V |
Beskrivelse: | MOSFET P-CH 30V 45A TO262-3 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 45A (Tc) |
Email: | [email protected] |