Købe IPP65R065C7XKSA1 med BYCHPS
Køb med garanti
		| Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 850µA | 
|---|---|
| Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) | 
| Leverandør Device Package: | PG-TO-220-3 | 
| Serie: | CoolMOS™ C7 | 
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 65 mOhm @ 17.1A, 10V | 
| Power Dissipation (Max): | 171W (Tc) | 
| Emballage: | Tube | 
| Pakke / tilfælde: | TO-220-3 | 
| Andre navne: | SP001080100 | 
| Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) | 
| Monteringstype: | Through Hole | 
| Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) | 
| Fabrikantens standard ledetid: | 20 Weeks | 
| Producentens varenummer: | IPP65R065C7XKSA1 | 
| Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 3020pF @ 400V | 
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 64nC @ 10V | 
| FET Type: | N-Channel | 
| FET-funktion: | - | 
| Udvidet beskrivelse: | N-Channel 650V 33A (Tc) 171W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 | 
| Afløb til Source Voltage (VDSS): | 650V | 
| Beskrivelse: | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | 
| Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 33A (Tc) | 
| Email: | [email protected] |