Købe IPT60R150G7XTMA1 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 260µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | PG-HSOF-8 |
Serie: | CoolMOS™ G7 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 150 mOhm @ 5.3A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 106W (Tc) |
Emballage: | Original-Reel® |
Pakke / tilfælde: | 8-PowerSFN |
Andre navne: | IPT60R150G7XTMA1DKR |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 16 Weeks |
Producentens varenummer: | IPT60R150G7XTMA1 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 902pF @ 400V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 23nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 650V 17A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8 |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 650V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 650V 17A HSOF-8 |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 17A (Tc) |
Email: | [email protected] |