Købe IRF3415S med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | D2PAK |
Serie: | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 42 mOhm @ 22A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Andre navne: | *IRF3415S |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Producentens varenummer: | IRF3415S |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 2400pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 200nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 150V 43A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 150V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 43A (Tc) |
Email: | [email protected] |