Købe IRFD224PBF med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Serie: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.1 Ohm @ 380mA, 10V |
Power Dissipation (Max): | 1W (Ta) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Andre navne: | *IRFD224PBF |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 12 Weeks |
Producentens varenummer: | IRFD224PBF |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 260pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 250V 630mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 250V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 250V 630MA 4-DIP |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 630mA (Ta) |
Email: | [email protected] |