Købe IRFH8337TR2PBF med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2.35V @ 25µA |
---|---|
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | PQFN (5x6) |
Serie: | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 12.8 mOhm @ 16.2A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 3.2W (Ta), 27W (Tc) |
Emballage: | Original-Reel® |
Pakke / tilfælde: | 8-PowerTDFN |
Andre navne: | IRFH8337TR2PBFDKR |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Surface Mount |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
Producentens varenummer: | IRFH8337TR2PBF |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 790pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 10nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 30V 12A (Ta), 35A (Tc) 3.2W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 30V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 30V 9.7A 5X6 PQFN |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 12A (Ta), 35A (Tc) |
Email: | [email protected] |