Købe IRFI640GPBF med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | TO-220-3 |
Serie: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 180 mOhm @ 5.9A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 40W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Andre navne: | *IRFI640GPBF |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 11 Weeks |
Producentens varenummer: | IRFI640GPBF |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 1300pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 70nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 200V 9.8A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 200V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 9.8A (Tc) |
Email: | [email protected] |