Købe IRL640PBF med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 2V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±10V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | TO-220AB |
Serie: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 180 mOhm @ 10A, 5V |
Power Dissipation (Max): | 125W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-220-3 |
Andre navne: | *IRL640PBF |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 11 Weeks |
Producentens varenummer: | IRL640PBF |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 1800pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 66nC @ 5V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 200V 17A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 4V, 5V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 200V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 200V 17A TO-220AB |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 17A (Tc) |
Email: | [email protected] |