Købe IXTQ36N30P med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±30V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | TO-3P |
Serie: | PolarHT™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 110 mOhm @ 18A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 300W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-3P-3, SC-65-3 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 8 Weeks |
Producentens varenummer: | IXTQ36N30P |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 2250pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 70nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 300V 36A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-3P |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 300V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 300V 36A TO-3P |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 36A (Tc) |
Email: | [email protected] |