Købe IXTQ60N20L2 med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 250µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±20V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | TO-3P |
Serie: | Linear L2™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 45 mOhm @ 30A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 540W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-3P-3, SC-65-3 |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 8 Weeks |
Producentens varenummer: | IXTQ60N20L2 |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 10500pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 255nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 200V 60A (Tc) 540W (Tc) Through Hole TO-3P |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 200V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 200V 60A TO-3P |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
Email: | [email protected] |