Købe NDD02N60Z-1G med BYCHPS
Køb med garanti
Vgs (th) (Max) @ Id: | 4.5V @ 50µA |
---|---|
Vgs (Max): | ±30V |
Teknologi: | MOSFET (Metal Oxide) |
Leverandør Device Package: | I-Pak |
Serie: | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 4.8 Ohm @ 1A, 10V |
Power Dissipation (Max): | 57W (Tc) |
Emballage: | Tube |
Pakke / tilfælde: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Andre navne: | NDD02N60Z-1G-ND NDD02N60Z-1GOS NDD02N60Z1G |
Driftstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Monteringstype: | Through Hole |
Fugtfølsomhedsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Fabrikantens standard ledetid: | 28 Weeks |
Producentens varenummer: | NDD02N60Z-1G |
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds: | 274pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 10.1nC @ 10V |
FET Type: | N-Channel |
FET-funktion: | - |
Udvidet beskrivelse: | N-Channel 600V 2.2A (Tc) 57W (Tc) Through Hole I-Pak |
Drevspænding (Maks. Rds On, Min Rds On): | 10V |
Afløb til Source Voltage (VDSS): | 600V |
Beskrivelse: | MOSFET N-CH 600V IPAK |
Strøm - Kontinuerlig afløb (Id) @ 25 ° C: | 2.2A (Tc) |
Email: | [email protected] |